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本發(fā)明屬于功能性薄膜領域，具體涉及一種氮化硼復合薄膜及其制備方法。
背景技術：
1、氮化硼薄膜的主要制備方法有共混改性和氣相沉積。共混改性是將氮化硼（bn）納米片或微粒分散于高分子材料溶液中，形成一種涂布漿料。然后，這種漿料可以通過各種涂布技術被施加到基材上，形成氮化硼復合薄膜。另一種方式是直接將氮化硼與高分子材料混合，并通過高溫熔融過程進行流延成膜。物理氣相沉積（pvd）或化學氣相沉積（cvd）是制備高質量氮化硼薄膜的常用方法。在pvd過程中，通常使用蒸發(fā)、濺射等技術將物質從源材料轉移到基板上形成薄膜。而在cvd過程中，則是在氣態(tài)環(huán)境下，通過化學反應使前驅氣體分解并在加熱的基板上沉積形成薄膜。
2、但是共混改性，導熱性能提升有限。氣相沉積制備氮化硼薄膜產(chǎn)量太低，薄膜質量差，無法規(guī)?；苽洹?/p>
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明針對上述問題，提供一種氮化硼復合薄膜及其制備方法，有效提升氮化硼薄膜的導熱性能。
2、本發(fā)明的技術方案之一在于提供一種氮化硼復合薄膜的制備方法，具有以下步驟：
3、（1）將硼酸與三聚氰胺按照0.8-1.1的質量比均勻混合，在氮氣環(huán)境下300-350℃反應3-5小時，將反應產(chǎn)物研磨，粒徑控制在1-10μm，得到物料a-未結晶的氮化硼。
4、（2）將氧化石墨烯粉末研磨至0.5-5μm，添加至物料a，混合均勻，其中氧化石墨烯的含量為1-10wt%，得到物料b。
5、（3）將物料b在真空環(huán)境下1000-2000℃處理4-6小時，冷卻至室溫，空氣氣流粉碎至粒徑不大于100μm，水洗，干燥，得到物料c。
6、在加熱還原過程中，氧化石墨烯中的含氧官能團（如羥基、環(huán)氧基）分解，產(chǎn)生氣體（如co2、h2o）。這些氣體的釋放增加了層間的壓力，導致go層間的膨脹。這一過程有助于恢復部分sp2碳網(wǎng)絡結構，并為相鄰bn層提供物理剪切力，促進bn的剝離。此外，還原后的石墨烯作為隔離劑插入bn層間，不僅防止其重新堆疊，維持高比表面積和活性位點，還能通過界面耦合優(yōu)化減少熱界面阻力，促進聲子傳輸。
7、（4）將物料c在氬氣環(huán)境下2600-3000℃處理0.5-1.5小時，冷卻至室溫，空氣氣流粉碎至粒徑不大于100μm，得到物料d。
8、（5）將物料d、分散劑、水通過微射流處理，得到均勻穩(wěn)定的漿料e，其中物料d所占質量百分比5-30%，分散劑所占質量百分比0.1-1%；所述分散劑為十二烷基苯磺酸鈉。
9、（6）將漿料e涂布，在60-90℃下干燥，得到厚度17-120μm厚度的氮化硼復合薄膜。
10、將go還原為石墨烯后，剝離的bn與石墨烯形成互穿三維網(wǎng)絡，通過協(xié)同效應降低界面熱阻，使得復合材料的導熱系數(shù)較單一組分提高2-5倍。此外，石墨化過程減少了晶界和空位缺陷，降低了聲子散射，進一步提升了整體導熱性。
11、本發(fā)明的技術方案之二在于提供上述方法制備的氮化硼復合薄膜。
12、本發(fā)明的有益效果：通過氧化石墨烯在碳化石墨化階段膨脹、分層，有利于氮化硼的剝層，提高剝層效果。
13、產(chǎn)品導熱系數(shù)更高，石墨烯導熱系數(shù)高，氮化硼剝層分散效果更好。還原后的石墨烯作為隔離劑插入bn層間，不僅防止其重新堆疊，維持高比表面積和活性位點，還能通過界面耦合優(yōu)化減少熱界面阻力，促進聲子傳輸。
1.一種氮化硼復合薄膜的制備方法，其特征在于，具有以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1所述未結晶的氮化硼經(jīng)以下方法得到：將硼酸與三聚氰胺按照0.8-1.1的質量比均勻混合，在惰性氣體環(huán)境下300-350℃反應3-5小時，得到未結晶的氮化硼。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：將熱處理后產(chǎn)物粉碎至尺寸在100μm以下。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，涂料中，兩步熱處理后的物料所占質量百分比5-30%，分散劑所占質量百分比0.1-1%，其余為水。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，涂布干燥的溫度為在60-90℃下干燥。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述未結晶的氮化硼粒徑為1-10μm。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分散劑為十二烷基苯磺酸鈉。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合的方法為微射流。
9.一種如權利要求1所述的制備方法制備的氮化硼復合薄膜。