本發(fā)明的例示性的實(shí)施方式涉及蝕刻方法和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在電子器件的制造中，為了在基片上的膜形成凹部，有時(shí)對膜進(jìn)行等離子體蝕刻。專利文獻(xiàn)1公開了在用于等離子體蝕刻的等離子體處理裝置中，對基片支承器施加用于將離子吸引到基片的電偏置。在專利文獻(xiàn)1所公開的等離子體處理裝置中，作為電偏置的一個例子，公開了脈沖狀的電壓連續(xù)的脈沖波。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2022/234643號

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明提供一種能夠抑制通過蝕刻形成的凹部的形狀異常的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)問題的手段

4、在一個例示性的實(shí)施方式中，提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包括：工序(a)，提供基片，所述基片包括層疊膜，所述層疊膜包括硅氧化膜和硅氮化膜；工序(b)，在對支承所述基片的基片支承部施加第一偏置電壓的同時(shí)，利用從包含氫氟烴氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體對所述硅氮化膜進(jìn)行蝕刻；和工序(c)，在對所述基片支承部施加第二偏置電壓的同時(shí)，利用從包含碳氟化合物氣體的第二處理氣體生成的第二等離子體對所述硅氧化膜進(jìn)行蝕刻，所述第二偏置電壓的電壓值的絕對值大于所述第一偏置電壓的電壓值的絕對值，所述第一偏置電壓和所述第二偏置電壓各自是直流電壓的脈沖的on和off周期性地反復(fù)的脈沖波，所述脈沖的on時(shí)間為0.5微秒以下。

5、發(fā)明效果

6、采用本發(fā)明的一個例示性的實(shí)施方式，能夠抑制通過蝕刻形成的凹部的形狀異常。

技術(shù)特征：

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻方法，其特征在于：

11.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
蝕刻方法包括：工序(a)，提供包括層疊膜的基片，層疊膜包括硅氧化膜和硅氮化膜；工序(b)，在對基片支承部施加第一偏置電壓的同時(shí)，利用從包含氫氟烴氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體對硅氮化膜進(jìn)行蝕刻；和工序(c)，在對基片支承部施加第二偏置電壓的同時(shí)，利用從包含碳氟化合物氣體的第二處理氣體生成的第二等離子體對硅氧化膜進(jìn)行蝕刻，第二偏置電壓的電壓值的絕對值大于第一偏置電壓的電壓值的絕對值，第一偏置電壓和第二偏置電壓各自是直流電壓的脈沖的ON和OFF周期性地反復(fù)的脈沖波，脈沖的ON時(shí)間為0.5微秒以下。

技術(shù)研發(fā)人員：齊藤翔,昆泰光,酒屋典之
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/29