半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：一芯片單元、一封裝單元及一電極單元。芯片單元包括至少一半導(dǎo)體芯片，具有一頂面、一底面及一連接于頂面與底面之間的圍繞側(cè)面，且半導(dǎo)體芯片的底面上具有一第一導(dǎo)電焊墊及一第二導(dǎo)電焊墊。封裝單元包括一覆蓋半導(dǎo)體芯片的頂面與圍繞側(cè)面的封裝體。封裝體的兩個(gè)相反側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部及一第二側(cè)端部。電極單元包括一包覆封裝體的第一側(cè)端部的第一電極結(jié)構(gòu)及一包覆封裝體的第二側(cè)端部的第二電極結(jié)構(gòu)。第一電極結(jié)構(gòu)與第二電極結(jié)構(gòu)彼此分離一預(yù)定距離，且第一電極結(jié)構(gòu)與第二電極結(jié)構(gòu)分別電性接觸第一導(dǎo)電焊墊與第二導(dǎo)電焊墊。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于設(shè)計(jì)與制造雙向阻礙式瞬態(tài)電壓抑制器上一直面臨一個(gè)技術(shù)瓶頸，這個(gè)技術(shù)瓶頸就是雙向阻礙式瞬態(tài)電壓抑制器的基極是連接至一漂移電位端。具體而言，雙向阻礙式TVS為利用具有相同射極-基極與集極-基極崩潰電壓的對(duì)稱NPN/PNP架構(gòu)所構(gòu)成。然而，這樣的構(gòu)成方式經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致漂移基極，進(jìn)而使得經(jīng)過時(shí)間的電壓變化(如dv/dt)更為困難。這經(jīng)過時(shí)間的電壓變化更導(dǎo)致漏電流關(guān)系，其主要起因于當(dāng)基極是漂移的，電壓dv/dt的改變將引起相等的電容，以產(chǎn)生充與放電流，進(jìn)而造成漏電流的增加。
[0003]關(guān)于瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor, TVS), 一般應(yīng)用于保護(hù)集成電路，以避免集成電路會(huì)因?yàn)樨?fù)擔(dān)過大的電壓而造成的損傷。集成電路一般設(shè)計(jì)在一正常電壓范圍下運(yùn)作。然而，在例如靜電放電(ESD)的狀況下，電快速地瞬變并閃電，此時(shí)無法預(yù)期與無法控制的高電壓可能意外地?fù)舸╇娐?。在類似集成電路發(fā)生負(fù)載過大電壓的這類損傷狀況時(shí)，就需要使用TVS來提供保護(hù)功能。當(dāng)集成電路中實(shí)施的元件數(shù)量增加時(shí)，將使得集成電路在遇到過大電壓損傷時(shí)更容易造成損傷，此時(shí)對(duì)TVS防護(hù)的需求也更增加。TVS的應(yīng)用范例如USB電源與數(shù)據(jù)線防護(hù)、數(shù)字影訊界面、高速以太網(wǎng)絡(luò)、筆記型電腦、顯示器與平面顯示器等等。
[0004]然而，以TVS為例，傳統(tǒng)的芯片封裝方式需要經(jīng)由一承載基板來承載功能芯片，并且需要經(jīng)由打線來達(dá)成功能芯片與承載基板之間的電性連接，因此造成傳統(tǒng)封裝體積過大、制作成本增加、電流傳送速度降低、及運(yùn)用在高頻時(shí)容易受到干擾而導(dǎo)致電性效能不佳等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其可有效解決“傳統(tǒng)的芯片封裝方式需要經(jīng)由一承載基板來承載功能芯片，并且需要經(jīng)由打線來達(dá)成功能芯片與承載基板之間的電性連接”的缺陷。
[0006]本發(fā)明其中一實(shí)施例所提供的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一芯片單兀(也可稱為“晶片單元”)、一封裝單元及一電極單元。所述芯片單元包括至少一半導(dǎo)體芯片，其中至少一所述半導(dǎo)體芯片具有一頂面、一背對(duì)于所述頂面的底面、及一連接于所述頂面與所述底面之間的圍繞側(cè)面，且至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述底面上具有一第一導(dǎo)電焊墊及一第二導(dǎo)電焊墊。所述封裝單元包括一覆蓋至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述頂面與所述圍繞側(cè)面的封裝體，其中所述封裝體的兩個(gè)相反側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部及一第二側(cè)端部。所述電極單元包括一包覆所述封裝體的所述第一側(cè)端部的第一電極結(jié)構(gòu)及一包覆所述封裝體的所述第二側(cè)端部的第二電極結(jié)構(gòu)，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)與所述第二電極結(jié)構(gòu)彼此分離一預(yù)定距離，且所述第一電極結(jié)構(gòu)與所述第二電極結(jié)構(gòu)分別電性接觸所述第一導(dǎo)電焊墊與所述第二導(dǎo)電焊墊。
[0007]本發(fā)明另外一實(shí)施例所提供的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟:首先，切割一晶圓，以形成多個(gè)彼此分開的半導(dǎo)體芯片，其中每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片具有一頂面、一背對(duì)于所述頂面的底面、及一連接于所述頂面與所述底面之間的圍繞側(cè)面，且每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的所述底面上具有一第一導(dǎo)電焊墊及一第二導(dǎo)電焊墊；接著，將每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片倒置且定位在一容置空間內(nèi)，以使得所述第一導(dǎo)電焊墊與所述第二導(dǎo)電焊墊均被相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片所遮蓋；然后，填充封裝材料于所述容置空間內(nèi)，以覆蓋多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片；接下來，切割所述封裝材料，以形成多個(gè)封裝體，其中每一個(gè)所述封裝體覆蓋每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述頂面與所述圍繞側(cè)面，且每一個(gè)所述封裝體的兩個(gè)相反側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部及一第二側(cè)端部；最后，形成多個(gè)第一電極結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)，其中每一個(gè)所述第一電極結(jié)構(gòu)包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第一側(cè)端部且電性連接相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第一導(dǎo)電焊墊，且每一個(gè)所述第二電極結(jié)構(gòu)包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第二側(cè)端部且電性連接相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第二導(dǎo)電焊墊。
[0008]本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其可通過“一覆蓋至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述頂面與所述圍繞側(cè)面的封裝體”與“填充封裝材料于所述容置空間內(nèi)，以覆蓋多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法可有效解決“傳統(tǒng)的芯片封裝方式需要經(jīng)由一承載基板來承載功能芯片，并且需要經(jīng)由打線來達(dá)成功能芯片與承載基板之間的電性連接”的缺陷。
[0009]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制者。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。
[0011]圖2A為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟SlOO的制作示意圖。
[0012]圖2B為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S102的制作示意圖。
[0013]圖2C為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S104的制作示意圖。
[0014]圖2D為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S106的制作示意圖。
[0015]圖2E為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S108的制作示意圖。
[0016]圖2F為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟SllO的制作示意圖。
[0017]圖2G為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S112的制作示意圖。
[0018]圖2H為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S114的制作示意圖。
[0019]圖21為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S116的制作示意圖。
[0020]圖3A為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中提供半導(dǎo)體芯片的側(cè)視示意圖。
[0021]圖3B為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中形成封裝體的側(cè)視示意圖。
[0022]圖3C為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中形成第一內(nèi)導(dǎo)電層與第二內(nèi)導(dǎo)電層的側(cè)視不意圖。
[0023]圖3D為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中形成第一中導(dǎo)電層與第二中導(dǎo)電層的側(cè)視不意圖。
[0024] 圖3E為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中形成第一外導(dǎo)電層與第二外導(dǎo)電層以完成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作過程的側(cè)視示意圖。
[0025]圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板本體上的側(cè)視剖面示意圖。
[0026]圖5A為本發(fā)明封裝體包覆半導(dǎo)體芯片的側(cè)視示意圖。
[0027]圖5B為本發(fā)明經(jīng)由電鍍的方式來形成多個(gè)導(dǎo)電材料的側(cè)視示意圖。
[0028]圖5C為本發(fā)明形成多個(gè)絕緣材料的側(cè)視示意圖。
[0029]圖為本發(fā)明經(jīng)由蝕刻的方式移除每一個(gè)導(dǎo)電材料中沒有被相對(duì)應(yīng)的絕緣材料所包覆的一部分的側(cè)視示意圖。
[0030]圖5E為本發(fā)明移除多個(gè)絕緣材料的側(cè)視示意圖。
[0031]圖5F為本發(fā)明分別形成多個(gè)第一中導(dǎo)電層及多個(gè)第二中導(dǎo)電層的側(cè)視示意圖。
[0032]圖5G為本發(fā)明分別形成多個(gè)第一外導(dǎo)電層及多個(gè)第二外導(dǎo)電層的側(cè)視示意圖。
[0033]【主要元件符號(hào)說明】
[0034]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z
[0035]芯片單元I
[0036]半導(dǎo)體芯片10
[0037]第一導(dǎo)電焊墊 IOA
[0038]第二導(dǎo)電焊墊 IOB
[0039]頂面100
[0040]底面101
[0041]圍繞側(cè)面102
[0042]倒圓角103
[0043]封裝單元2
[0044]封裝材料20’
[0045]切割軌跡200’
[0046]封裝體20
[0047]第一側(cè)端部20A
[0048]第二側(cè)端部20B
[0049]上表面200
[0050]圍繞表面201
[0051]下表面202
[0052]電極單元3
[0053]導(dǎo)電材料300’
[0054]絕緣材料301’
[0055]第一電極結(jié)構(gòu) 31
[0056]第一內(nèi)導(dǎo)電層 310
[0057]第一中導(dǎo)電層 311
[0058]第一外導(dǎo)電層 312
[0059]第一底端3120[0060]第二電極結(jié)構(gòu)32
[0061]第二內(nèi)導(dǎo)電層320
[0062]第二中導(dǎo)電層321
[0063]第二外導(dǎo)電層322
[0064]第二底端3220
[0065]基板單元4
[0066]基板本體40
[0067]焊錫S
[0068]晶圓W
[0069]黏著基板H
[0070]圍繞形擋墻D
[0071]容置空間R
【具體實(shí)施方式】
[0072]請參閱圖1、圖2A至圖21、及圖3所示，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z的制作方法，其包括下列步驟:
[0073]首先，配合圖1與圖2A所示，提供一晶圓W，其包括多個(gè)的半導(dǎo)體芯片10 (S100),其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片10尚未從晶圓W上切割下來，且每一個(gè)半導(dǎo)體芯片10可為一預(yù)先以半導(dǎo)體制作程序所制作完成的二極管芯片或任何功能性芯片，例如瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor, TVS)。
[0074]接著,配合圖1與圖2B所示,經(jīng)由網(wǎng)板印刷(screen printing),以在每一個(gè)半導(dǎo)體芯片10上形成一第一導(dǎo)電焊墊IOA與一第二導(dǎo)電焊墊10B(S102)。然而，本發(fā)明不局限只能夠使用網(wǎng)板印刷的方式來形成第一導(dǎo)電焊墊IOA與一第二導(dǎo)電焊墊10B，舉凡任何可用來形成第一導(dǎo)電焊墊IOA與一第二導(dǎo)電焊墊IOB的制作方式，皆可應(yīng)用于本發(fā)明。
[0075]然后，配合圖1、圖2B、圖2C及圖3A所示，切割晶圓W(沿著預(yù)先定義在圖2B的晶圓W上的虛擬切割線)，以形成多個(gè)彼此分開的半導(dǎo)體芯片10(S104)，其中如圖2C所示，每一個(gè)半導(dǎo)體芯片10具有一頂面100、一背對(duì)于頂面100的底面101、及一連接于頂面100與底面101之間的圍繞側(cè)面102，且每一個(gè)半導(dǎo)體芯片10的底面101上具有一第一導(dǎo)電焊墊10A及一第二導(dǎo)電焊墊10B。
[0076]接下來，配合圖1、圖2C及圖2D所示，將每一個(gè)半導(dǎo)體芯片10倒置且定位在一容置空間R內(nèi)，以使得第一導(dǎo)電焊墊IOA與第二導(dǎo)電焊墊IOB皆被相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10所遮蓋(S106)。換言之，在步驟S106中，可先將半導(dǎo)體芯片10從所述已切割完成的晶圓W上取出(如圖2C所示)，然后將半導(dǎo)體芯片10上下顛倒且黏貼在一黏著基板H上，其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片10彼此分離一預(yù)定距離。舉例來說，在黏著基板H上可設(shè)置一圍繞形擋墻D，而容置空間R所含蓋的空間大小則可由黏著基板H與圍繞形擋墻D的配合來定義出。
[0077]緊接著，配合圖1、圖2D、圖2E及圖3B所示，填充封裝材料20’于容置空間R內(nèi)，以覆蓋多個(gè)半導(dǎo)體芯片10 (SlOS)0舉例來說，封裝材料20’可為任何不可透光的封裝膠材，例如環(huán)氧樹脂或硅膠等。
[0078]然后，配合圖1與圖2F所示，形成多個(gè)切割軌跡200’于封裝材料20’的上表面(SllO)o
[0079]接著，配合圖1、圖2F及圖2G所示，沿著多個(gè)切割軌跡200’來切割封裝材料20’，以形成多個(gè)封裝體20，其中每一個(gè)封裝體20覆蓋每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的頂面100與圍繞側(cè)面102 (S112)。
[0080]緊接著，配合圖1、圖2G及圖2H所示，將每一個(gè)封裝體20進(jìn)行倒圓角處理，且每一個(gè)封裝體20的兩個(gè)相反側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部20A及一第二側(cè)端部20B (SlH)0更進(jìn)一步來說，當(dāng)封裝體20的外緣處進(jìn)行倒圓角處理后，封裝體20的外緣處會(huì)形成多個(gè)倒圓角103，此倒圓角103將有助于后續(xù)電極結(jié)構(gòu)形成后的附著能力。
[0081]接下來，配合圖1、圖2H及圖21所示，形成多個(gè)第一電極結(jié)構(gòu)31及多個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)32，其中每一個(gè)第一電極結(jié)構(gòu)31可因著倒圓角103的形成而更穩(wěn)固地包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20的第一側(cè)端部20A且電性連接相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的第一導(dǎo)電焊墊10A，且每一個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)32可因著倒圓角103的形成而更穩(wěn)固地包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20的第二側(cè)端部20B且電性連接相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的第二導(dǎo)電焊墊IOB (SI 16)。
[0082]更進(jìn)一步來說,配合圖21、及圖3C至圖3E所示,上述步驟S114可更進(jìn)一步包括:首先，如圖3C所示，分別形成多個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層310及多個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層320(例如以沾銀的方式來形成)，其中每一個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層310包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20的第一側(cè)端部20A且電性接觸相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的第一導(dǎo)電焊墊10A，且每一個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層320包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20的第二側(cè)端部20B且電性接觸相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的第二導(dǎo)電焊墊IOB ;接著，如圖3D所示，分別形成多個(gè)第一中導(dǎo)電層311及多個(gè)第二中導(dǎo)電層321(例如以電鍍鎳的方式來形成)，其中每一個(gè)第一中導(dǎo)電層311包覆相對(duì)應(yīng)的第一內(nèi)導(dǎo)電層310，且每一個(gè)第二中導(dǎo)電層321包覆相對(duì)應(yīng)的第二內(nèi)導(dǎo)電層320;最后，如圖3E所示，分別形成多個(gè)第一外導(dǎo)電層312及多個(gè)第二外導(dǎo)電層322 (例如以電鍍錫的方式來形成)，其中每一個(gè)第一外導(dǎo)電層312包覆相對(duì)應(yīng)的第一中導(dǎo)電層311，且每一個(gè)第二外導(dǎo)電層322包覆相對(duì)應(yīng)的第二中導(dǎo)電層321。
[0083]因此，經(jīng)由上述步驟SlOO至步驟S116的制作方式，配合圖21與圖3所示，本發(fā)明可提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括:一芯片單元1、一封裝單元2及一電極單元3。
[0084]首先，芯片單元I包括至少一半導(dǎo)體芯片10，其中半導(dǎo)體芯片10具有一頂面100、一背對(duì)于頂面100的底面101、及一連接于頂面100與底面101之間的圍繞側(cè)面102，且半導(dǎo)體芯片10的底面101上具有一第一導(dǎo)電焊墊IOA及一第二導(dǎo)電焊墊10B。再者，封裝單元2包括一覆蓋半導(dǎo)體芯片10的頂面100與圍繞側(cè)面102的封裝體20，其中封裝體20的兩個(gè)相反側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部20A及一第二側(cè)端部20B。舉例來說，半導(dǎo)體芯片10的底面101可從封裝體20裸露出來，且封裝體20的外緣處具有多個(gè)倒圓角103。再者，封裝體20具有一對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片10的頂面100的上表面200、一從上表面200向下延伸且對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片10的圍繞側(cè)面102的圍繞表面201、及一從圍繞表面201向內(nèi)延伸且僅使半導(dǎo)體芯片10的第一導(dǎo)電焊墊IOA與第二導(dǎo)電焊墊IOB裸露的下表面202。
[0085]此外，電極單元3包括一包覆封裝體20的第一側(cè)端部20A的第一電極結(jié)構(gòu)31及一包覆封裝體20的第二側(cè)端部20B的第二電極結(jié)構(gòu)32，其中第一電極結(jié)構(gòu)31與第二電極結(jié)構(gòu)32彼此分離一預(yù)定距離，且第一電極結(jié)構(gòu)31與第二電極結(jié)構(gòu)32分別電性接觸第一導(dǎo)電焊墊IOA與第二導(dǎo)電焊墊IOB。舉例來說，第一電極結(jié)構(gòu)31包覆封裝體20的上表面200的其中一部分、封裝體20的圍繞表面201的其中一部分、封裝體20的下表面的其中一部分、及半導(dǎo)體芯片10的底面101的其中一部分，且第二電極結(jié)構(gòu)32包覆封裝體20的上表面200的另外一部分、封裝體20的圍繞表面201的另外一部分、封裝體20的下表面202的另外一部分、及半導(dǎo)體芯片10的底面101的另外一部分。再者，第一電極結(jié)構(gòu)31包括一包覆封裝體20的第一側(cè)端部20A且電性接觸半導(dǎo)體芯片10的第一導(dǎo)電焊墊IOA的第一內(nèi)導(dǎo)電層310、一用于包覆第一內(nèi)導(dǎo)電層310的第一中導(dǎo)電層311、及一用于包覆第一中導(dǎo)電層311的第一外導(dǎo)電層312，且第二電極結(jié)構(gòu)32包括一包覆封裝體20的第二側(cè)端部20B且電性接觸半導(dǎo)體芯片10的第二導(dǎo)電焊墊IOB的第二內(nèi)導(dǎo)電層320、一用于包覆第二內(nèi)導(dǎo)電層320的第二中導(dǎo)電層321、及一用于包覆第二中導(dǎo)電層321的第二外導(dǎo)電層322。
[0086]更進(jìn)一步來說，如圖4所示，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z可更進(jìn)一步包括:一基板單元4，其包括一基板本體40，其中第一電極結(jié)構(gòu)31的第一底端3120與第二電極結(jié)構(gòu)32的第二底端3220皆電性接觸基板本體40，且第一電極結(jié)構(gòu)31與第二電極結(jié)構(gòu)32分別經(jīng)由兩個(gè)焊錫S以電性連接于基板本體40且定位在基板本體40上。
[0087]請參閱圖5A至圖5G所示，本發(fā)明可提供另外一種執(zhí)行上述步驟S116的方法，如下所述:
[0088]首先，配合圖5A與圖5B所示，經(jīng)由電鍍的方式來形成多個(gè)導(dǎo)電材料300’，其中每一個(gè)導(dǎo)電材料300’完全包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20與相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10。
[0089]接著，配合圖5B與圖5C所示，形成多個(gè)絕緣材料301’(例如具有抗酸蝕功能的高分子材料)，其中每兩個(gè)絕緣材料301’分別包覆相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料300’的兩個(gè)相反末端部。
[0090]然后，配合圖5C與圖所示，經(jīng)由蝕刻的方式移除每一個(gè)導(dǎo)電材料300’中沒有被相對(duì)應(yīng)的絕緣材料301’所包覆的一部分，以形成多個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層310及多個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層320，其中每一個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層310包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20的第一側(cè)端部20A且電性接觸相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的第一導(dǎo)電焊墊10A，且每一個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層320包覆相對(duì)應(yīng)的封裝體20的第二側(cè)端部20B且電性接觸相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片10的第二導(dǎo)電焊墊10B。
[0091]接下來，配合圖與圖5E所示，移除多個(gè)絕緣材料301’，以裸露多個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層310及多個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層320。
[0092]緊接著，配合圖5E與圖5F所示，分別形成多個(gè)第一中導(dǎo)電層311及多個(gè)第二中導(dǎo)電層321，其中每一個(gè)第一中導(dǎo)電層311包覆相對(duì)應(yīng)的第一內(nèi)導(dǎo)電層310，且每一個(gè)第二中導(dǎo)電層321包覆相對(duì)應(yīng)的第二內(nèi)導(dǎo)電層320。
[0093]最后，配合圖5F與圖5G所示，分別形成多個(gè)第一外導(dǎo)電層312及多個(gè)第二外導(dǎo)電層322，其中每一個(gè)第一外導(dǎo)電層312包覆相對(duì)應(yīng)的第一中導(dǎo)電層311，且每一個(gè)第二外導(dǎo)電層322包覆相對(duì)應(yīng)的第二中導(dǎo)電層321。
[0094]〔實(shí)施例的可能效果〕
[0095]本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z及其制作方法，其可通過“一覆蓋半導(dǎo)體芯片10的頂面100與圍繞側(cè)面102的封裝體20”與“填充封裝材料20’于容置空間R內(nèi)，以覆蓋多個(gè)半導(dǎo)體芯片10”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z及其制作方法可有效解決“傳統(tǒng)的芯片封裝方式需要經(jīng)由一承載基板來承載功能芯片，并且需要經(jīng)由打線來達(dá)成功能芯片與承載基板之間的電性連接”的缺陷。
[0096]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖式內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一芯片單元，所述芯片單元包括至少一半導(dǎo)體芯片，其中至少一所述半導(dǎo)體芯片具有一頂面、一背對(duì)于所述頂面的底面、及一連接于所述頂面與所述底面之間的圍繞側(cè)面，且至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述底面上具有一第一導(dǎo)電焊墊及一第二導(dǎo)電焊墊； 一封裝單元，所述封裝單元包括一覆蓋至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述頂面與所述圍繞側(cè)面的封裝體，其中所述封裝體的兩個(gè)相反的側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部及一第二側(cè)端部；以及 一電極單元，所述電極單元包括一包覆所述封裝體的所述第一側(cè)端部的第一電極結(jié)構(gòu)及一包覆所述封裝體的所述第二側(cè)端部的第二電極結(jié)構(gòu)，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)與所述第二電極結(jié)構(gòu)彼此分離一預(yù)定距離，且所述第一電極結(jié)構(gòu)與所述第二電極結(jié)構(gòu)分別電性接觸所述第一導(dǎo)電焊墊與所述第二導(dǎo)電焊墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述底面從所述封裝體裸露出來，且所述封裝體的外緣處具有多個(gè)倒圓角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝體具有一與至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述頂面相對(duì)應(yīng)的上表面、一從所述上表面向下延伸且與至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述圍繞側(cè)面相對(duì)應(yīng)的圍繞表面及一從所述圍繞表面向內(nèi)延伸且僅使至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述第一導(dǎo) 電焊墊與所述第二導(dǎo)電焊墊外露的下表面，所述第一電極結(jié)構(gòu)包覆所述封裝體的所述上表面的其中一部分、所述封裝體的所述圍繞表面的其中一部分、所述封裝體的所述下表面的其中一部分、及至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述底面的其中一部分，且所述第二電極結(jié)構(gòu)包覆所述封裝體的所述上表面的另外一部分、所述封裝體的所述圍繞表面的另外一部分、所述封裝體的所述下表面的另外一部分、及至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述底面的另外一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極結(jié)構(gòu)包括一包覆所述封裝體的所述第一側(cè)端部且電性接觸至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述第一導(dǎo)電焊墊的第一內(nèi)導(dǎo)電層、一用于包覆所述第一內(nèi)導(dǎo)電層的第一中導(dǎo)電層、及一用于包覆所述第一中導(dǎo)電層的第一外導(dǎo)電層，且所述第二電極結(jié)構(gòu)包括一包覆所述封裝體的所述第二側(cè)端部且電性接觸至少一所述半導(dǎo)體芯片的所述第二導(dǎo)電焊墊的第二內(nèi)導(dǎo)電層、一用于包覆所述第二內(nèi)導(dǎo)電層的第二中導(dǎo)電層、及一用于包覆所述第二中導(dǎo)電層的第二外導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還進(jìn)一步包括:一基板單元，所述基板單元包括一基板本體，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)的底端與所述第二電極結(jié)構(gòu)的底端均與所述基板本體電性接觸，且所述第一電極結(jié)構(gòu)與所述第二電極結(jié)構(gòu)分別經(jīng)由兩個(gè)焊錫以與所述基板本體電性連接。
6.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下列步驟: 對(duì)一晶圓進(jìn)行切割處理，以形成多個(gè)彼此分開的半導(dǎo)體芯片，其中每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片具有一頂面、一背對(duì)于所述頂面的底面、及一連接于所述頂面與所述底面之間的圍繞側(cè)面，且每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的所述底面上具有一第一導(dǎo)電焊墊及一第二導(dǎo)電焊墊； 將每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片倒置且定位在一容置空間內(nèi)，以使得所述第一導(dǎo)電焊墊與所述第二導(dǎo)電焊墊均被相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片所遮蓋； 將封裝材料填充于所述容置空間內(nèi)，以覆蓋多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片；對(duì)所述封裝材料進(jìn)行切割處理，以形成多個(gè)封裝體，其中每一個(gè)所述封裝體覆蓋每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述頂面與所述圍繞側(cè)面，且每一個(gè)所述封裝體的兩個(gè)相反的側(cè)端上分別具有一第一側(cè)端部及一第二側(cè)端部；以及 形成多個(gè)第一電極結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)，其中每一個(gè)所述第一電極結(jié)構(gòu)包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第一側(cè)端部且電性連接相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第一導(dǎo)電焊墊，且每一個(gè)所述第二電極結(jié)構(gòu)包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第二側(cè)端部且電性連接相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第二導(dǎo)電焊墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述晶圓進(jìn)行切割處理的步驟前，還進(jìn)一步包括:經(jīng)由網(wǎng)板印刷，以形成所述第一導(dǎo)電焊墊與所述第二導(dǎo)電焊墊于相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述底面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述將每一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片倒置且定位在所述容置空間內(nèi)的步驟中，還進(jìn)一步包括:先將所述半導(dǎo)體芯片從所述晶圓上取出，然后將所述半導(dǎo)體芯片上下顛倒且黏貼在一設(shè)置于所述容置空間內(nèi)的黏著基板上，其中多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片彼此分離一預(yù)定距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述封裝材料進(jìn)行切割處理的步驟中，還進(jìn)一步包括:先形成多個(gè)切割軌跡于所述封裝材料的上表面，然后沿著所述多個(gè)切割軌跡來切割封裝材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述形成多個(gè)所述第一電極結(jié)構(gòu)及多個(gè)所述第二電極結(jié)構(gòu)的步驟前，還進(jìn)一步包括:對(duì)每一個(gè)所述封裝體進(jìn)行倒圓角處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述形成多個(gè)所述第一電極結(jié)構(gòu)及多個(gè)所述第二電極結(jié)構(gòu)的步驟中，還進(jìn)一步包括: 分別形成多個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層及多個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層，其中每一個(gè)所述第一內(nèi)導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第一側(cè)端部且電性接觸相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第一導(dǎo)電焊墊，且每一個(gè)所述第二內(nèi)導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第二側(cè)端部且電性接觸相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第二導(dǎo)電焊墊； 分別形成多個(gè)第一中導(dǎo)電層及多個(gè)第二中導(dǎo)電層，其中每一個(gè)所述第一中導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第一內(nèi)導(dǎo)電層，且每一個(gè)所述第二中導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第二內(nèi)導(dǎo)電層；以及 分別形成多個(gè)第一外導(dǎo)電層及多個(gè)第二外導(dǎo)電層，其中每一個(gè)所述第一外導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第一中導(dǎo)電層，且每一個(gè)所述第二外導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第二中導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述形成多個(gè)所述第一電極結(jié)構(gòu)及多個(gè)所述第二電極結(jié)構(gòu)的步驟中，還進(jìn)一步包括: 形成多個(gè)導(dǎo)電材料，其中每一個(gè)所述導(dǎo)電材料完全包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體與相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片； 形成多個(gè)絕緣材料，其中每兩個(gè)所述絕緣材料分別包覆相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電材料的兩個(gè)相反的末端部； 移除每一個(gè)所述導(dǎo)電材料中沒有被相對(duì)應(yīng)的絕緣材料所包覆的一部分，以形成多個(gè)第一內(nèi)導(dǎo)電層及多個(gè)第二內(nèi)導(dǎo)電層，其中每一個(gè)所述第一內(nèi)導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第一側(cè)端部且電性接觸相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第一導(dǎo)電焊墊，且每一個(gè)所述第二內(nèi)導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述封裝體的所述第二側(cè)端部且電性接觸相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的所述第二導(dǎo)電焊墊； 移除多個(gè)所述絕緣材料，以裸露多個(gè)所述第一內(nèi)導(dǎo)電層及多個(gè)所述第二內(nèi)導(dǎo)電層；分別形成多個(gè)第一中導(dǎo)電層及多個(gè)第二中導(dǎo)電層，其中每一個(gè)所述第一中導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第一內(nèi)導(dǎo)電層，且每一個(gè)所述第二中導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第二內(nèi)導(dǎo)電層；以及分別形成多個(gè)第一外導(dǎo)電層及多個(gè)第二外導(dǎo)電層，其中每一個(gè)所述第一外導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第一中導(dǎo)電層，且每一個(gè)所述第二外導(dǎo)電層包覆相對(duì)應(yīng)的所述第二中導(dǎo)電層。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103915394SQ201210593014
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月31日
【發(fā)明者】徐竹君, 徐偉倫, 柯泓升, 楊堯名, 張育嘉 申請人:佳邦科技股份有限公司