技術(shù)編號：42301069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開的領(lǐng)域涉及具有從支撐軸懸掛的反射器組合件的拉錠器設(shè)備，所述支撐軸在所述反射器組合件上方延伸。背景技術(shù)、單晶硅錠可通過所謂的丘克拉斯基(czochralski)工藝生長，其中硅種晶與硅的熔體接觸。從熔體抽提硅種晶，從而引起由種晶懸掛的單晶硅錠形成。硅種晶固定到連接到拉索的晶種卡盤。拉索支撐卡盤及種晶(以及晶體生長期間的錠)。拉索連接到提拉機構(gòu)，其降低及升高拉錠器設(shè)備內(nèi)的拉索。、在從熔體抽提單晶硅錠時，錠可經(jīng)過將熱重新引導(dǎo)回錠的反射器組合件。常規(guī)地，反射器組合件由豎直堆疊在熱區(qū)中的一系列石...
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