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  • 一種芯片級封裝LED的制作方法

    文檔序號:11051199閱讀:1005來源:國知局
    一種芯片級封裝LED的制造方法與工藝

    本實用新型涉及LED技術領域,尤其涉及一種芯片級封裝LED。



    背景技術:

    CSP的全稱是Chip Scale Package,中文意思是芯片級封裝、芯片尺寸封裝。光源對物體的顯色能力稱為顯色性,物體的顏色顯示是由光源的光譜組成決定的。如圖1所示,現有技術中的芯片級封裝LED一般采用藍光激發(fā)黃色熒光粉,當LED的光照射到花朵上時,花朵的紅色不是很鮮艷。定義自然光下的物體的顯色指數為100,測試藍光激發(fā)黃色熒光粉的LED的顯色指數為70。當我們需要調整燈具的顯色指數以配合環(huán)境,使得物體更加真實時,現有技術中的LED的藍光芯片和黃色熒光粉決定了LED發(fā)光的光譜組成,無法滿足這種需求。



    技術實現要素:

    本實用新型的目的在于提供一種芯片級封裝LED,其通過調整量子點層的粒子尺寸可以控制發(fā)光的顏色,實現LED發(fā)光的高顯示性,通過封裝結構實現了對量子點層的封裝和保護,提高了LED結構的可靠性,同時提高了倒裝紫外芯片的散熱。

    為達此目的,本實用新型采用以下技術方案:

    一種芯片級封裝LED,包括基板,基板的上方設置有倒裝紫外芯片,倒裝紫外芯片的底面設置有兩個電極,倒裝紫外芯片通過兩個電極與基板電連接,兩個電極與倒裝紫外芯片之間均設置有第一石墨烯層,兩個第一石墨烯層之間互不連接,倒裝紫外芯片的頂面和側面從內至外依次設置有第二石墨烯層、量子點層和封裝膠層。

    其中,第二石墨烯層、量子點層、封裝膠層與基板一起將倒裝紫外芯片封裝。倒裝紫外芯片的外部的三層結構,使得封裝更加可靠。

    其中,第一石墨烯層的底面積大于電極的底面積。石墨烯具有高導熱、高導電、透光的性能,第一石墨烯層與倒裝紫外芯片和電極相連接,可以極大地提高倒裝紫外芯片的散熱,同時不影響電路導通。

    其中,封裝膠層為透明封裝膠層。

    其中,封裝膠層為環(huán)氧樹脂層或硅膠層。

    其中,電極通過回流焊與基板電連接。

    其中,基板為GaN、Si、SiN或陶瓷基板。

    其中,基板上布設有電路。

    本實用新型的有益效果:倒裝紫外芯片與電極之間設置第一石墨烯層,可以極大地提高倒裝紫外芯片的散熱,同時不影響電路的導通;倒裝紫外芯片的頂面和側面從內至外依次設置有第二石墨烯層、量子點層和封裝膠層,其封裝可靠,通過封裝膠層和第二石墨烯層將量子點層封裝在中間部分,使得量子點層遠離倒裝紫外芯片的表面,避免量子點層因倒裝紫外芯片的表面溫度而影響發(fā)光效率,同時利用石墨烯的高導熱性,使得熱量從下方快速導出,石墨烯具有很好的透光性能,不會影響量子點層被激發(fā)的效率;量子點層可以被倒裝紫外芯片發(fā)出的紫外光激發(fā),產生藍光、紅光和綠光,從而形成可見白光,可以通過控制量子點層的粒子尺寸,來控制量子點層的發(fā)光顏色;封裝膠層提高了LED結構的穩(wěn)定性,減少外力的損傷。

    附圖說明

    圖1是現有技術的芯片級封裝LED的結構示意圖。

    圖2是本實用新型的芯片級封裝LED的結構示意圖。

    附圖標記如下:

    1-基板;2-倒裝紫外芯片;21-電極;22-第一石墨烯層;3-第二石墨烯層;4-量子點層;5-封裝膠層。

    具體實施方式

    下面結合圖2并通過具體實施例來進一步說明本實用新型的技術方案。

    如圖2所示,芯片級封裝LED包括基板1,基板1的上方設置有倒裝紫外芯片2,倒裝紫外芯片2的底面設置有兩個電極21,倒裝紫外芯片2通過兩個電極21與基板1電連接,兩個電極21與倒裝紫外芯片2之間均設置有第一石墨烯層22,兩個第一石墨烯層22之間互不連接,倒裝紫外芯片2的頂面和側面從內至外依次設置有第二石墨烯層3、量子點層4和封裝膠層5,第二石墨烯層3、量子點層4、封裝膠層5與基板1一起將倒裝紫外芯片2封裝。倒裝紫外芯片2的外部的三層結構,使得封裝更加可靠。

    本實施例中,第一石墨烯層22的底面積大于電極21的底面積。優(yōu)選地,電極21通過回流焊與基板1電連接。石墨烯具有高導熱、高導電、透光的性能,第一石墨烯層22與倒裝紫外芯片2和電極21相連接,可以極大地提高倒裝紫外芯片2的散熱,同時不影響電路導通。

    本實施例中,基板1上布設有電路,基板1為陶瓷基板,封裝膠層5為環(huán)氧樹脂層。在其他實施例中,基板1也可以為GaN、Si或SiN基板,封裝膠層5也可以選擇硅膠層。

    本實用新型的芯片級封裝LED的封裝流程如下:

    1)、芯片制程:芯片的生長、成型均通過氣相外延的方法,先在襯底生長GaAlN的外延和活性層,再在芯片的上方蒸鍍第一石墨烯層22,最后通過涂膠、曝光、蝕刻等一系列的工藝形成電極21;

    2)、光轉換層涂覆:將芯片外延片整體進行氣相沉積,依次在不同腔內進行材料沉積,再在芯片表面沉積第二石墨烯層3,然后在第二石墨烯層3上沉積量子點層4,最后在量子點層4沉積封裝膠層5,對LED進行分光和編帶;

    3)、制作PCB基板:根據需求設計LED電路,選取基材后在基材上沉積對應電路,裸露相應焊盤。

    4)、SMT貼片:將LED通過錫膏回流焊表貼在PCB基板1。

    以上內容僅為本實用新型的較佳實施例,對于本領域的普通技術人員,依據本實用新型的思想,在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處,本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。

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