本發(fā)明涉及一種封裝工藝，尤其是一種高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝工藝，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前的光電鼠標(biāo)芯片都是采用的是dip直插式結(jié)構(gòu)，其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)實(shí)、可靠、散熱好、功耗大。插件時(shí)，先將其插入pcb板相應(yīng)位置的針孔中，再由pcb板的下表面上錫，上錫時(shí)需要在芯片的引腳上涂助焊劑，該結(jié)構(gòu)存在如下不足：

1、需要對(duì)封裝芯片的引線(xiàn)框架進(jìn)行雙面電鍍，電鍍面積大，浪費(fèi)資源；

2、需要人工插件，生產(chǎn)成本高，生產(chǎn)效率低；

3、直插式元件在浸錫時(shí)易出現(xiàn)虛焊、假焊或連焊等缺陷，導(dǎo)致鼠標(biāo)產(chǎn)品不良；

4、助焊劑容易進(jìn)入元件內(nèi)，易造成元件不良，導(dǎo)致鼠標(biāo)功能不良因素增加。

另外，dip型結(jié)構(gòu)還存在功能較少，封裝密度及引腳數(shù)也難以提高的問(wèn)題，隨著電子產(chǎn)品進(jìn)一步向小型化和多功能化發(fā)展，dip型封裝已越來(lái)越不適用于未來(lái)的多功能、高集成度的光電鼠標(biāo)產(chǎn)品，光電鼠標(biāo)芯片必須基于低成本、高密度，在微小體積封裝結(jié)構(gòu)上尋求更大的突破。

此外，現(xiàn)有引線(xiàn)框架中相鄰的安裝單元之間，一個(gè)安裝單元的外引腳與另一個(gè)安裝單元的外引腳之間保留間隙，不相互重疊，兩個(gè)安裝單元的外引腳相間隔的部分形成為中筋，后續(xù)工藝中需要切除相連安裝單元外引腳與外引腳之間的中筋；因每一個(gè)安裝單元的外引腳獨(dú)立占據(jù)一定的原材料面積，導(dǎo)致有效芯片區(qū)相對(duì)于整條引線(xiàn)框架所占的比例較低，對(duì)基于整片框架作為最小操作單元的工藝流程來(lái)說(shuō)，有效的安裝單元數(shù)減少，降低了封裝效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝工藝，該封裝工藝無(wú)需切除中筋，能簡(jiǎn)化切筋分離步驟，有效提高材料利用率、降低生產(chǎn)成本、提高了封裝效率。

按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝工藝，其特征是，包括如下步驟：

1、準(zhǔn)備芯片、引線(xiàn)框架；

所述引線(xiàn)框架包括多排安裝單元組，相鄰安裝單元組之間通過(guò)連桿連接，每排安裝單元組包括多只安裝單元；所述安裝單元包括塑封本體，塑封本體內(nèi)設(shè)置基島，基島兩側(cè)分別設(shè)置多個(gè)引腳；所述引腳包括設(shè)置在塑封本體內(nèi)的內(nèi)引腳和由內(nèi)引腳向塑封本體外引出的外引腳，塑封本體同側(cè)的外引腳通過(guò)引腳連接桿相連接；所述塑封本體兩側(cè)的外引腳呈錯(cuò)開(kāi)設(shè)置，使得同一安裝單元組中相鄰兩只安裝單元的塑封本體相對(duì)側(cè)的多個(gè)外引腳彼此交叉，外引腳的端部與相鄰安裝單元的引腳連接桿相連接；

2、在引線(xiàn)框架的基島上點(diǎn)膠；

3、將芯片貼到基島上，并固化；

4、在芯片與多個(gè)引腳之間打金線(xiàn)；

6、在芯片的感光區(qū)噴膠；

7、在塑封本體上點(diǎn)膠；

8、在塑封本體上安裝底蓋和前蓋，然后固化，完成芯片的塑封；

9、在底蓋的光學(xué)鏡頭上貼膜；

10、將上述步驟1-9得到的封裝結(jié)構(gòu)從引線(xiàn)框架上切筋分離；對(duì)所分離封裝結(jié)構(gòu)的外引腳進(jìn)行彎折；彎折過(guò)程為先將外引腳彎折至與底蓋的側(cè)邊相平行形成連接腳，再將連接腳端部垂直彎折形成底腳，連接腳與底腳呈l型，底腳的上表面與底蓋的表面同水平。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述內(nèi)引腳與基島的間距為0.3mm；基島的外邊緣表面鍍有兩層鍍層，第一層為厚度為0.2μm的ni層，第二層為厚度為0.2μm的ag層；基島表面鍍有兩層鍍層，第一層為厚度為0.2μm的ni層，第二層為厚度為1.5μm的ag層。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述金線(xiàn)由質(zhì)量百分比為60~80%的au、20~40%的ag組成。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述噴膠厚度為3~5μm。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述塑封本體、底蓋和前蓋的材料為環(huán)保樹(shù)脂。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述切筋分離的步驟如下：

（a）切除塑封殘留的廢料；

（b）切除引腳連接桿，分離外引腳；

（c）切除連桿，分離所述步驟1-9得到的封裝結(jié)構(gòu)。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述底腳朝向底蓋的一側(cè)彎折，并在底蓋的兩側(cè)分別設(shè)有與外引腳相配合的多個(gè)外引腳槽，底腳設(shè)置在外引腳槽內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)底腳的上表面與底蓋的表面同水平。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述底腳朝向遠(yuǎn)離底蓋的一側(cè)彎折，并同時(shí)保持底腳的上表面與底蓋的表面同水平。

本發(fā)明所述高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝工藝無(wú)需切除中筋，能簡(jiǎn)化切筋分離步驟，有效提高材料利用率、降低生產(chǎn)成本、提高了封裝效率；所得封裝結(jié)構(gòu)在pcb板上的尺寸能夠更緊湊，有利于鼠標(biāo)的微型化，從而降低鼠標(biāo)產(chǎn)品的生產(chǎn)成本；能與其它貼片元件一起利用自動(dòng)貼片設(shè)備加工，能極大地提高鼠標(biāo)的生產(chǎn)效率；鼠標(biāo)產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)需浸錫，避免了dip式易出現(xiàn)虛焊、假焊、連焊或助焊劑進(jìn)入元件等造成鼠標(biāo)功能不良因素增加的問(wèn)題，提高了生產(chǎn)良率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1的主視圖。

圖3為圖1的右視圖。

圖4為圖1的左視圖。

圖5為圖1的仰視圖。

圖6為圖1的俯視圖。

圖7為圖1的后視圖。

圖8為本發(fā)明第二種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為圖8的主視圖。

圖10為圖8的左視圖。

圖11為圖8的俯視圖。

圖12為圖8的后視圖。

圖13為本發(fā)明所述引線(xiàn)框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖14為圖13的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1-14所示：所述高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝結(jié)構(gòu)包括塑封本體1、外引腳2、前蓋3、底蓋4、光學(xué)鏡頭5、外引腳槽6、連接腳7、底腳8、引線(xiàn)框架9、安裝單元9-1、基島9-2、引腳9-3、內(nèi)引腳9-4、連桿9-5、引腳連接桿9-6、外引腳識(shí)別孔10等。

本發(fā)明包括塑封本體1，塑封本體1上設(shè)置前蓋3和底蓋4將裝芯片單元封裝在塑封本體1內(nèi)；所述塑封本體1的長(zhǎng)度為9.4mm-22.36mm，寬度為9.1mm，厚度為2.91mm；所述前蓋3為平板結(jié)構(gòu)，前蓋3左上角設(shè)有外引腳識(shí)別孔10；所述底蓋4上設(shè)有凸臺(tái)，凸臺(tái)設(shè)有用于安裝光學(xué)鏡頭5的孔，所述凸臺(tái)直徑為5.4mm，高度為4.2mm，孔徑為0.9mm；所述芯片單元包括芯片，芯片兩側(cè)分別連接多個(gè)引腳9-3，引腳9-3包括內(nèi)引腳9-4和由內(nèi)引腳9-4向塑封本體1外部引出的外引腳2；外引腳2的個(gè)數(shù)為8-24，且為偶數(shù)，外引腳識(shí)別孔10的位置對(duì)應(yīng)于第一個(gè)外引腳的位置，從而對(duì)第一外引腳進(jìn)行識(shí)別，兩側(cè)外引腳2的跨度為10mm-12mm，同側(cè)相鄰?fù)庖_2的間距為1.55mm-2.54mm；所述外引腳2彎折形成連接腳7，連接腳7端部垂直彎折形成底腳8，連接腳7與底腳8呈l型，連接腳7與塑封本體1的側(cè)邊相平行設(shè)置，底腳8的上表面與底蓋4的表面同水平；所述底腳8長(zhǎng)度為1.2mm-1.7mm，寬度為0.5mm。

在一種實(shí)施方式中，如圖1所示，所述底腳8朝向底蓋4的一側(cè)彎折，并在底蓋4兩側(cè)的塑封本體1上分別設(shè)有與外引腳2相配合的多個(gè)外引腳槽6，底腳8設(shè)置在外引腳槽6內(nèi)，使底腳8的上表面與底蓋4的表面同水平。

在另一種實(shí)施方式中，如圖8所示，所述底腳8遠(yuǎn)離底蓋4的一側(cè)彎折，并同時(shí)保持底腳8的上表面與底蓋4的表面同水平。

本發(fā)明的工作原理及工作過(guò)程：所述高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝結(jié)構(gòu)采用貼片式安裝到pcb板上，所占pcb板的面積要比焊接式的小，并且可以直接自動(dòng)化操作貼片，具體是將底腳8采用貼片式安裝到pcb板上，因底腳8與連接腳7的l型結(jié)構(gòu)，與焊接式相比，縮短了芯片與pcb板的距離，結(jié)構(gòu)更加緊湊，有利于鼠標(biāo)產(chǎn)品的微型化。

所述高密度光電鼠標(biāo)芯片封裝工藝，包括如下步驟：

1、準(zhǔn)備芯片、引線(xiàn)框架9；

如圖13、14所示，所述引線(xiàn)框架9包括多排安裝單元組，相鄰安裝單元組之間通過(guò)連桿9-5連接，每排安裝單元組包括多只安裝單元9-1；所述安裝單元9-1包括塑封本體1，塑封本體1內(nèi)設(shè)置基島9-2，基島9-2兩側(cè)分別設(shè)置多個(gè)引腳9-3；所述引腳9-3包括設(shè)置在塑封本體1內(nèi)的內(nèi)引腳9-4和由內(nèi)引腳9-4向塑封本體1外引出的外引腳2，塑封本體1同側(cè)的外引腳2通過(guò)引腳連接桿9-6相連接；塑封本體1兩側(cè)的外引腳2呈錯(cuò)開(kāi)設(shè)置，使得同一安裝單元組中相鄰兩只安裝單元9-1的塑封本體1相對(duì)側(cè)的多個(gè)外引腳2彼此交叉，外引腳2的端部與相鄰安裝單元9-1的引腳連接桿9-6相連接；

2、在引線(xiàn)框架9的基島9-2上點(diǎn)膠；

所述內(nèi)引腳9-4與基島9-2的間距為0.3mm；基島9-2的外邊緣表面鍍有兩層鍍層，第一層為厚度為0.2μm的ni層，第二層為厚度為0.2μm的ag層；基島9-2表面鍍有兩層鍍層，第一層為厚度為0.2μm的ni層，第二層為厚度為1.5μm的ag層；

3、將芯片貼到基島9-2上，并固化；

4、在芯片與多個(gè)引腳9-3之間打金線(xiàn)；所述金線(xiàn)由質(zhì)量百分比為60~80%的au、20~40%的ag組成；

6、在芯片的感光區(qū)噴膠；所述噴膠厚度為3~5μm，即在芯片感光區(qū)表面形成一層保護(hù)薄膜，保護(hù)感光區(qū)不受損傷和污染；

7、在塑封本體1上點(diǎn)膠；

8、在塑封本體1上安裝底蓋4和前蓋3，然后固化，完成芯片的塑封；所述塑封本體1、底蓋4和前蓋3的材料為環(huán)保樹(shù)脂；

9、在底蓋4的光學(xué)鏡頭5上貼膜；

10、將上述步驟1-9得到的封裝結(jié)構(gòu)從引線(xiàn)框架9上切筋分離；所述切筋分離的步驟如下：

（a）切除塑封殘留的廢料；

（b）切除引腳連接桿9-6，分離外引腳2；

（c）切除連桿9-5，分離上述步驟1-9得到的封裝結(jié)構(gòu)；

對(duì)所分離封裝結(jié)構(gòu)的外引腳2進(jìn)行彎折；彎折過(guò)程為先將外引腳2彎折至與塑封本體1的側(cè)邊相平行形成連接腳7，再將連接腳7端部垂直彎折形成底腳8，連接腳7與底腳8呈l型，底腳8的上表面與底蓋4的表面同水平。

在一種實(shí)施方式中，如圖1所示，所述底腳8朝向底蓋4的一側(cè)彎折，并在底蓋4兩側(cè)的塑封本體1上分別設(shè)有與外引腳2相配合的多個(gè)外引腳槽6，底腳8設(shè)置在外引腳槽6內(nèi)，使底腳8的上表面與底蓋4的表面同水平。

在另一種實(shí)施方式中，如圖8所示，所述底腳8遠(yuǎn)離底蓋4的一側(cè)彎折，并同時(shí)保持底腳8的上表面與底蓋4的表面同水平。