本實(shí)用新型涉及多晶硅鑄錠領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅鑄錠爐。

背景技術(shù)：

太陽能電池用硅的生產(chǎn)工藝主要有直拉單晶硅和鑄造多晶硅，多晶鑄錠相對而言工藝較為簡單，易于規(guī)?；a(chǎn)，成本較低。目前多晶鑄錠是采用定向凝固的方法使晶粒定向生長，該技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)是需要使融化狀態(tài)的硅料從坩堝底部向上逐漸冷卻，從而達(dá)到硅錠從坩堝底部至坩堝頂部定向結(jié)晶的目的。

由于石英坩堝在高溫下會軟化變形，自身無法承載內(nèi)部的硅料，因此在鑄錠時(shí)需要將石英坩堝四周用四塊石墨護(hù)板固定住坩堝，避免石英坩堝發(fā)生軟化變形。而現(xiàn)有的常規(guī)鑄錠技術(shù)都采用了側(cè)部加熱器供熱，這樣容易導(dǎo)致靠近側(cè)部加熱器的石墨護(hù)板處的溫度更高。而石墨護(hù)板上面又沒有隔熱材料，因此，石墨護(hù)板只起到單純的固定坩堝的作用，不能起到調(diào)節(jié)長晶固液界面的效果，因此進(jìn)入長晶階段，石英坩堝側(cè)壁溫度低于硅料熔點(diǎn)，會導(dǎo)致熔融硅液以坩堝側(cè)壁形成晶核，向石英坩堝中心雜亂生長，與豎直方向生長晶粒沖突，形成大量晶體缺陷，影響硅片質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種多晶硅鑄錠爐，該多晶硅鑄錠爐內(nèi)設(shè)置有坩堝、護(hù)板、蓋板、底板，坩堝放置在底板上，護(hù)板設(shè)置在坩堝外側(cè)，蓋板設(shè)置在坩堝上方，其中，所述護(hù)板四周設(shè)置有保溫材料。

其中，所述的保溫材料為石墨碳?xì)帧?/p>

其中，所述的石墨碳?xì)譃槭矚只蚴洑帧?/p>

其中，所述的石墨硬氈或石墨軟氈通過石墨螺桿和螺帽固定在石墨護(hù)板上或通過石墨膠粘合在護(hù)板上。

其中，所述的保溫材料設(shè)置在所述護(hù)板上方的位置。

其中，所述保溫材料底端距護(hù)板底端的距離為5cm-20cm。

本實(shí)用新型提供的多晶硅鑄錠爐，由于保溫材料僅設(shè)置在護(hù)板上方的位置，靠近坩堝底部的區(qū)域溫度相對較高，有利于增強(qiáng)硅液對流，減少雜質(zhì)的富集。在長晶階段，不僅能夠有效抑制坩堝側(cè)壁形核，向坩堝中心雜亂生長，同時(shí)還能避免與豎直方向生長的晶粒沖突，形成大量晶體缺陷，由此得到的長晶界面更加平整的高質(zhì)量硅錠。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅鑄錠爐結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中附圖標(biāo)記所對應(yīng)的名稱為：1-坩堝、2-護(hù)板、3-蓋板、4-底板、5-保溫材料。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更好的理解本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征，從而對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚的界定。顯然，所描述的實(shí)施例只是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參考圖1，在該實(shí)施例中，多晶硅鑄錠爐內(nèi)設(shè)置有坩堝1、護(hù)板2、蓋板3、底板4，坩堝1放置在底板3上，護(hù)板2設(shè)置在坩堝1外側(cè)，蓋板3設(shè)置在坩堝1上方，所述護(hù)板四周設(shè)置有保溫材料，該保溫材料優(yōu)選石墨碳?xì)郑鍪細(xì)值锥司嘧o(hù)板底端的距離為5cm-20cm。

優(yōu)選地，所述石墨碳?xì)譃槭矚只蚴洑帧?/p>

優(yōu)選地，所述石墨碳?xì)滞ㄟ^石墨螺桿和螺帽固定在護(hù)板上。

優(yōu)選地，所述石墨碳?xì)滞ㄟ^石墨膠固定在護(hù)板上。

優(yōu)選地，所述石墨碳?xì)值锥司嘧o(hù)板底端的距離為7cm-15cm。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述石墨碳?xì)值锥司嘧o(hù)板底端的距離為8cm，9cm，10cm，11cm，12cm，13cm，14cm。

本實(shí)用新型提供的多晶硅鑄錠爐，由于保溫材料僅設(shè)置在護(hù)板上方的位置，靠近坩堝底部的區(qū)域溫度相對較高，有利于增強(qiáng)硅液對流，減少雜質(zhì)的富集。在長晶階段，不僅能夠有效抑制坩堝側(cè)壁形核，向坩堝中心雜亂生長，同時(shí)還能避免與豎直方向生長的晶粒沖突，形成大量晶體缺陷，由此得到的長晶界面更加平整的高質(zhì)量硅錠。