等離子體處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明用于在等離子體處理裝置內部堅固地固定基板托盤，特別涉及一種等離子體處理裝置，能夠應用于在室的下部形成有等離子體的方式的等離子體處理裝置，把基板托盤固定于室內。
【背景技術】
[0002]—般而言，在用于半導體的晶片及要求精密的薄膜加工工序中，使用利用了等離子體的蝕刻和沉積法，提尚制品的精密度。
[0003]如此產(chǎn)生等離子體的等離子體處理裝置，由形成外形的室和安裝于室的外側的天線及使晶片放置于室內部的卡盤構成。
[0004]由此，所述的天線供應高頻，借助于高頻而在室內部形成有等離子體，對放置于卡盤的晶片進彳丁加工。
[0005]以往的等離子體處理裝置在室上部形成等離子體，在下部固定托盤，利用等離子體蝕刻安放于托盤的晶片(基板)。這存在的問題是，在室上部發(fā)生的工序副產(chǎn)物借助于重力而落于基板，因此，工序副產(chǎn)物對基板的工序造成影響，蝕刻作業(yè)無法順利進行，因而發(fā)生不良。
[0006]為了解決這種問題，提出了在室的上部固定托盤、在下部形成等離子體的方案。由此，消除了因工序副產(chǎn)物落于基板而發(fā)生不良的問題，但基板與以往朝向上面的情形相反，而是朝向下面，在把托盤堅固地固定于室的上部方面發(fā)生問題。
[0007]以往的日本專利公開公報2004-285469 A提出“載置架處理裝置及方法”。但是，在這種現(xiàn)有文獻中，只公開了在平行平板式電極之間接入高頻電力并產(chǎn)生等離子體，借助于該等離子體而使工程氣體激活，在較低溫度下進行既定的成膜處理或蝕刻處理，并未針對在室內部堅固地固定基板托盤的手段進行公開。
[0008]作為所述【背景技術】而說明的事項，只是為了增進對本發(fā)明的背景的理解，不得視為承認屬于該所屬技術領域的技術人員已知的以往技術。
[0009]現(xiàn)有技術文獻
[0010]專利文獻
[0011]專利文獻1:日本專利公開公報JP 2004-285469 A

【發(fā)明內容】

[0012]本發(fā)明正是為了解決這種問題而研發(fā)的，其目的在于提供一種等離子體處理裝置，針對在室的下部形成有等離子體的方式的等離子體處理裝置，在室內部堅固地固定基板托盤，使得基板托盤的周邊工序環(huán)境均一，在蝕刻作業(yè)時使出錯實現(xiàn)最少化。
[0013]旨在達成所述目的的本發(fā)明的等離子體處理裝置包括:室，其具備供等離子體生成的空間，在上端壁部的下端固定有卡盤；第I夾具組件，其安裝于所述室的上端壁部，配備有供基板托盤安放的第I夾具，配備得能夠在室的內部沿上下方向升降，從而當上升運轉時，使得基板托盤接觸卡盤并固定；及第2夾具組件，其安裝于所述室的上端壁部，配備得能夠在室的內部沿上下方向升降，當包圍所述第I夾具與基板托盤地形成的第2夾具上升運轉時，使得基板托盤與第I夾具一同貼緊卡盤。
[0014]本發(fā)明的另一特征在于，所述室在上端壁部固定有卡盤，工程氣體從下端壁部向上方供應，側端壁部的上側，天線配備于下側。
[0015]本發(fā)明的另一特征在于，所述第I夾具組件包括:第I長度調節(jié)部，其固定安裝于所述室的上端壁部上端，長度沿上下方向可變；第I運轉部，其位于所述第I長度調節(jié)部的上側，連接有第I長度調節(jié)部，借助于第I長度調節(jié)部而上下移動；第I支撐部，其從所述第I運轉部向下方延長，貫通室的上端壁部，在延長的末端，具備在室的內部供基板托盤安放的第I夾具。
[0016]其特征在于，所述第I長度調節(jié)部包括:缸，其固定于室上端壁部；活塞桿，其配備得在缸中沿上下方向升降，且連接有第I運轉部。
[0017]本發(fā)明的另一特征在于，所述第I運轉部與室的上端壁部水平地配置，在中心連接有所述第I長度調節(jié)部，從中心呈輻射狀延長形成有構成相同長度和等角的至少兩個以上的第I連接臂，并連接有第I支撐部。
[0018]本發(fā)明的另一特征在于，所述第I運轉部的第I連接臂能夠彈性彎曲地形成。
[0019]本發(fā)明的另一特征在于，所述第I運轉部從中心呈輻射狀延長形成有三個第I連接臂。
[0020]本發(fā)明的另一特征在于，所述第I支撐部的一端連接于第I運轉部的第I連接臂，另一端向下方延長而其末端位于比室內部的卡盤更下側，在另一端配備有朝向室的中央以凸緣形態(tài)延長的第I夾具。
[0021]本發(fā)明的另一特征在于，連接于所述多個第I連接臂的各個第I支撐部，連接于以環(huán)形態(tài)形成的連接環(huán)的外周。
[0022]本發(fā)明的另一特征在于，所述連接環(huán)在第I支撐部的延長的末端連接于比第I夾具更上側。
[0023]本發(fā)明的另一特征在于，在所述室中形成有引導支撐部，所述引導支撐部固定安裝于上端壁部的上端，向上方延長，連接有第I夾具組件與第2夾具組件，從而使得第I夾具組件和第2夾具組件向相同方向升降，在延長的末端配備有固定面板。
[0024]所述第2夾具組件包括:第2長度調節(jié)部，其固定安裝于固定面板的下端，長度沿上下方向可變；第2運轉部，其位于所述第2長度調節(jié)部的下側，連接有第2長度調節(jié)部，借助于第2長度調節(jié)部而向上下移動；第2支撐部，其從所述第2運轉部向下方延長，貫通室的上端壁部，在延長的末端，具備在室的內部一同包圍第I夾具與基板托盤的第2夾具。
[0025]本發(fā)明的另一特征在于，所述第2長度調節(jié)部包括:缸，其固定于第2運轉部；活塞桿，其配備得在缸中沿上下方向升降，連接于固定面板。
[0026]本發(fā)明的另一特征在于，所述第2運轉部與室的上端壁部水平地配置，在中心連接有所述第2長度調節(jié)部，從中心呈輻射狀延長形成有構成相同長度和等角的至少兩個以上的第2連接臂，連接有第2支撐部。
[0027]本發(fā)明的另一特征在于，所述第2運轉部的第2連接臂能夠彈性彎曲地形成。
[0028]本發(fā)明的另一特征在于，所述第2支撐部一端連接于第2運轉部的第2連接臂，另一端向下方延長，其末端位于比第I夾具更下側，在另一端配備有以環(huán)形態(tài)形成并包圍第I夾具與基板托盤的第2夾具。
[0029]本發(fā)明的另一特征在于，所述第2夾具以環(huán)形態(tài)形成，在外周形成有供第I夾具容納的插入槽和供基板托盤安放的支撐槽。
[0030]本發(fā)明的另一特征在于，在所述引導支撐部的固定面板上，形成有向下方延長并位于第I運轉部上側的停止部，從而使得第I運轉部在向上方過度移動時接觸停止部并限制移動。
[0031]本發(fā)明的另一特征在于，還配備有盒模塊，所述盒模塊具備在底面兩側對稱的板，并具備:在兩板上沿上下方向構成多段，且朝向相互相向的方向凸出的支撐架；放置架，其安放于所述支撐架，在中央部，以比基板托盤外周更小的外周形成有移送槽，前方以與移送槽相接的方式開放，沿著移送槽的外周形成有供基板托盤安放的安放槽；移送組件，其將安放于所述放置架的基板托盤移送到所述室內而安放于第I夾具組件。
[0032]本發(fā)明的另一特征在于，所述盒模塊設有安裝于支撐架的傳感器部，所述傳感器部判斷安放于支撐架的基板托盤的有無。
[0033]本發(fā)明的另一特征在于，所述移送組件以平面形成，以便與基板托盤的下面接觸，在外周配備有防止基板托盤滑動的橡膠墊，在中央形成有用于分散負載的分散孔。
[0034]另一方面，旨在達成所述目的的本發(fā)明的晶片固定裝置包括:其特征在于，包括:第I夾具組件，其配備有供基板托盤安放的第I夾具，配備得能夠在室的內部沿上下方向升降，從而當運轉時，使得基板托盤接觸室內的卡盤并固定；及第2夾具組件，其與所述第I夾具組件獨立地配備，使得能夠在室的內部沿上下方向升降，具備包圍所述第I夾具和基板托盤地形成的第2夾具，運轉時，使得基板托盤與第I夾具一同貼緊室內的卡盤。
[0035]發(fā)明效果
[0036]由如上所述結構構成的等離子體處理裝置，針對在室的下部形成等離子體的方式的等離子體處理裝置，在室內部堅固地固定基板托盤，使得基板托盤的周邊工序環(huán)境均一，在蝕刻作業(yè)時使出錯實現(xiàn)最少化。
[0037]另外，提供作為用于向室內部移送基板托盤的手段的盒，使得容易把裝載于盒的基板托盤移送到室內，增大作業(yè)效率。
【附圖說明】
[0038]圖1是顯示本發(fā)明一實施例的等離子體處理裝置的圖