一種等離子體處理裝置中的電路結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及等離子體處理裝置技術領域，具體涉及一種等離子體處理裝置中的電路結構。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，其電路結構常用的電極連接方式有2種:一種是上電極接地，下電極與射頻電源相連接，在這種電極連接方式中，由于上下電極始終保持電壓差，等離子體處理裝置中的等離子體在該電壓差作用下對下電極上的待處理物的轟擊作用較大，可用于移除待處理物表面原子或原子團，因此這種電極連接方式常見于等離子體刻蝕設備、等離子體物理清洗設備和等離子體濺射設備等中；另一種是下電極接地，上電極與射頻電源相連接，在這種電極連接方式中，由于下電極接地，等離子體處理裝置中的等離子體對下電極上的待處理物的轟擊作用較小，因此，這種電極連接方式常見于等離子體化學氣相沉積設備、等離子體化學清洗設備等中。
[0003]而在等離子體處理工藝過程中，往往需要既能夠對待處理物表面進行預處理，又能夠在在待處理物體表面沉積預定的材料。例如，在材料沉積工藝中，需要對待處理物表面行預處理，為了達到較好的預處理效果，需要提供較大的離子轟擊能量，改善基底表面材料的特性，提高表面結合力、提高材料沉積的質量。而在材料沉積過程中需要減小等離子轟擊能量?，F(xiàn)有的等離子體處理設備為了能夠滿足上述需要通常通過設置多個不同頻率的射頻源，通過對射頻源的調節(jié)來調節(jié)離子的轟擊能量，這大大增加了等離子體處理設備的成本和復雜程度。
【實用新型內容】
[0004]為解決上述技術問題，本申請?zhí)峁┮环N等離子體處理裝置中的電路結構，以使等離子體處理裝置既可以在需要對待處理物表面進行預處理時提供較大的離子轟擊能量，又能夠在對待處理物表面進行材料沉積時減小等離子體轟擊能量。該等離子體處理裝置結構簡單而且相對于現(xiàn)有的等離子體處理裝置降低了成本。
[0005]本實用新型提供一種等離子體處理裝置中的電路結構，該等離子體處理裝置中的電路結構包括上電極組、下電極組、第一開關和第二開關。上電極組包括至少一個上電極。下電極組包括至少一個下電極。下電極組的下電極支撐被處理物體。上電極組通過第一開關接地。下電極組通過第二開關接地。
[0006]根據本實用新型的一個方面，上電極組包括至少兩個上電極，各個上電極之間相互并聯(lián)。下電極組包括至少兩個下電極，各個下電極之間相互并聯(lián)。
[0007]根據本實用新型的一個方面，上電極組的上電極與相鄰的下電極組的下電極相對。
[0008]根據本實用新型的一個方面，等離子體處理裝置中的電路結構還包括變壓器。上電極組和下電極組通過所述變壓器與電源連接。上電極組和下電極組分別連接變壓器的兩個輸出端。
[0009]根據本實用新型的一個方面，在對被處理物體進行預處理的情況下，第一開關閉合并且第二開關斷開，上電極組接地，以增加等離子體的轟擊能量。
[0010]根據本實用新型的一個方面，在對被處理物體進行材料沉積的情況下，第一開關斷開并且第二開關閉合時，下電極組接地，以降低等離子體的轟擊能量。
[0011]根據本實用新型的一個方面，第一開關和第二開關斷開時，上電極組的上電極與所述下電極組的下電極的電壓絕對值相等，相位相反。
[0012]具有根據本實用新型的電路結構的等離子體處理裝置既可以在需要對待處理物表面進行預處理時提供較大的離子轟擊能量，又能夠在對待處理物表面進行材料沉積時減小等離子體轟擊能量。該等離子體處理裝置結構簡單而且相對于現(xiàn)有的等離子體處理裝置降低了成本。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，并不能理解為其對本實用新型的構成任何限制。對于本領域普通技術人員來講，還可以根據這些附圖獲得其他實施例以及其他實施例相對應的附圖。
[0014]圖1是根據本實用新型的一個實施例的等離子體處理裝置的示意性的結構圖。
【具體實施方式】
[0015]下面將結合附圖，對本申請的一個以上的實施例的技術方案進行描述。顯然，所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。需要說明的是，基于本申請中的這些實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0016]圖1是根據本實用新型的一個實施例的等離子體處理裝置中的電路結構I的示意性的結構圖。如圖1所示，等離子體處理裝置中的電路結構I包括上電極組2、下電極組3、第一開關4和第二開關。上電極組2包括至少一個上電極21。下電極組3包括至少一個下電極31。下電極組3的下電極31支撐被處理物體8。上電極組2通過第一開關4接地。下電極組3通過第二開關接地。
[0017]進一步地說，上電極組2包括至少兩個上電極21，各個上電極21之間相互并聯(lián)。下電極組3包括至少兩個下電極31，各個下電極31之間相互并聯(lián)。在如圖1所示的本實施例中，上電極組2包括兩個上電極21，這兩個上電極21之間相互并聯(lián)。下電極組3包括兩個下電極31，這兩個下電極31之間相互并聯(lián)。需要注意的是，本實用新型并不限于此，本實用新型上電極組可以只包括I個上電極，下電極組可以只包括一個下電極。
[0018]進一步地說，上電極組2的上電極21與相鄰的下電極組3的下電極31相對。也就是說，上電極組2的上電極21與下電極組3的下電極31相互交替，并且相鄰的上電極21和下電極31彼此相對。在相鄰的上電極21和下電極31之間的空間產生等離子體。
[0019]進一步地說，射頻等離子體處理裝置中的電路結構I還包括變壓器6。上電極組2和下電極組3通過變壓器6與電源7連接。上電極組2和下電極組3分別連接變壓器6的兩個輸出端。具體地說，如圖1所示，在本實施例中，上電極組2連接變壓器6的第一輸出端61，下電極組3連接變壓器6的第二輸出端62。變壓器6的輸入端與電源裝置7相連。電源7包括匹配器71和電源72。
[0020]進一步地說，根據本實用新型的實施例的等離子體處理裝置中的電路結構I還包括腔體(