一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及發(fā)熱芯片散熱技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前發(fā)熱芯片的外形多為中央高度較高、周圍高度較低的凸字形狀，中央與周圍的高低差約為I?2mm。由于組裝時(shí)導(dǎo)熱墊所接觸的殼體具有固定高度。若欲在發(fā)熱芯片上方粘貼導(dǎo)熱墊片時(shí)，僅能配合發(fā)熱芯片的中央或周圍其中一高度來(lái)選擇導(dǎo)熱墊片的厚度。這就導(dǎo)致會(huì)大幅降低發(fā)熱新品的傳熱面積或使得導(dǎo)熱墊片過(guò)厚，產(chǎn)生組裝干涉問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種將發(fā)熱芯片各發(fā)熱面的熱量進(jìn)行傳導(dǎo)、封裝芯片的導(dǎo)熱墊片。
[0004]本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，覆蓋于發(fā)熱芯片的凸字形的表面，包括導(dǎo)熱墊片本體，導(dǎo)熱墊片本體上設(shè)置有與發(fā)熱芯片的凸字形表面相配合的凹槽，所述的導(dǎo)熱墊片本體包括導(dǎo)熱層和設(shè)置于導(dǎo)熱層一側(cè)的玻纖加強(qiáng)層，凹槽設(shè)置于導(dǎo)熱層的表面，所述的導(dǎo)熱層包括硅膠基體和填充于硅膠基體內(nèi)的金屬絲，凹槽的槽底面上和四個(gè)槽側(cè)壁的表面上均設(shè)置有一層相變化導(dǎo)熱材料層。相變化導(dǎo)熱材料層采用市售的相變化材料制成，在受熱時(shí)相變化導(dǎo)熱材料層進(jìn)行相變，由原來(lái)的固體層軟化成半液態(tài)。
[0005]所述的金屬絲為銀絲、銅絲或鋁絲。
[0006]所述的金屬絲的直徑為0.5mm?1mm，金屬絲在娃膠基體內(nèi)的體積填充率為20?60%。發(fā)明人通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)金屬絲的直徑及金屬絲在硅膠基體內(nèi)的體積填充率都是影響導(dǎo)熱墊片導(dǎo)熱性能的因素，進(jìn)一步的，金屬絲的直徑越大，則金屬絲含量未達(dá)到很大值時(shí)，導(dǎo)熱墊片的彈性出現(xiàn)明顯降低，而金屬絲的含量的減少使導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱率降低，適當(dāng)減小金屬絲的直徑能有效降低金屬絲含量對(duì)導(dǎo)熱墊片彈性的影響降低，但過(guò)細(xì)的金屬絲難以形成貫通的導(dǎo)熱途徑，也影響導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱率。發(fā)明人通過(guò)科研攻關(guān)，發(fā)現(xiàn)金屬絲的直徑為
0.5mm?Imm時(shí)，既能保證形成貫通的導(dǎo)熱途徑，又能保持在具有較高金屬絲含量時(shí)，導(dǎo)熱墊片整體具有較佳的彈性。
[0007]所述的金屬絲在硅膠基體內(nèi)沿垂直于導(dǎo)熱墊片的方向延伸，從而每個(gè)金屬絲都形成一條貫通的導(dǎo)熱途徑。
[0008]所述導(dǎo)熱墊片的形狀為方形或圓形。
[0009]所述的凹槽為矩形槽。
[0010]本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型的凹槽能夠緊密貼合發(fā)熱芯片的中央面和周圍側(cè)面，并且凹槽側(cè)壁和槽底面上的相變化導(dǎo)熱材料層在受熱時(shí)進(jìn)行相變，由原來(lái)的固體層軟化成半液態(tài)，從而可以從微觀角度更緊密的接觸發(fā)熱芯片的表面，提高了導(dǎo)熱性能。在導(dǎo)熱墊片內(nèi)填充金屬絲，填充的金屬絲在硅膠基體中是連續(xù)分布，形成了貫通的傳熱途徑，因此提高了導(dǎo)熱層本體的導(dǎo)熱性能。從而將發(fā)熱芯片各發(fā)熱面的熱量進(jìn)行傳導(dǎo)，并且不存在組裝干涉問(wèn)題，相比現(xiàn)有導(dǎo)熱墊片，能有效降溫8°C以上，很好地解決了高發(fā)熱功率發(fā)熱芯片的散熱問(wèn)題。
[0011]本實(shí)用新型在導(dǎo)熱墊片上復(fù)合了一層玻纖加強(qiáng)層，在不增加導(dǎo)熱墊片厚度和熱阻的前提下提高了導(dǎo)熱墊片的機(jī)械強(qiáng)度，具有良好的抗撕裂和抗刺穿性能，不會(huì)被針腳刺，避免了電子產(chǎn)品短路問(wèn)題的發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖中，1-凹槽，2-導(dǎo)熱層，3-玻纖加強(qiáng)層，4-硅膠基體，5-金屬絲，6_相變化導(dǎo)熱材料層。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述:
[0015]如圖1所示，一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，覆蓋于發(fā)熱芯片的凸字形的表面，包括導(dǎo)熱墊片本體，導(dǎo)熱墊片本體上設(shè)置有與發(fā)熱芯片的凸字形表面相配合的凹槽1，所述的導(dǎo)熱墊片本體包括導(dǎo)熱層2和設(shè)置于導(dǎo)熱層2 —側(cè)的玻纖加強(qiáng)層3，凹槽I設(shè)置于導(dǎo)熱層2的表面，所述的導(dǎo)熱層2包括硅膠基體4和填充于硅膠基體4內(nèi)的金屬絲5，凹槽I的槽底面上和四個(gè)槽側(cè)壁的表面上均設(shè)置有一層相變化導(dǎo)熱材料層6。相變化導(dǎo)熱材料層6采用市售的相變化材料制成，在受熱時(shí)相變化導(dǎo)熱材料層6進(jìn)行相變，由原來(lái)的固體層軟化成半液
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[0016]所述的金屬絲5為銀絲、銅絲或鋁絲。
[0017]所述的金屬絲5的直徑為0.5mm?1mm，金屬絲5在娃膠基體4內(nèi)的體積填充率為20?60%。發(fā)明人通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)金屬絲5的直徑及金屬絲5在硅膠基體4內(nèi)的體積填充率都是影響導(dǎo)熱墊片導(dǎo)熱性能的因素，進(jìn)一步的，金屬絲5的直徑越大，則金屬絲5含量未達(dá)到很大值時(shí)，導(dǎo)熱墊片的彈性出現(xiàn)明顯降低，而金屬絲5的含量的減少使導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱率降低，適當(dāng)減小金屬絲5的直徑能有效降低金屬絲5含量對(duì)導(dǎo)熱墊片彈性的影響降低，但過(guò)細(xì)的金屬絲5難以形成貫通的導(dǎo)熱途徑，也影響導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱率。發(fā)明人通過(guò)科研攻關(guān)，發(fā)現(xiàn)金屬絲5的直徑為0.5mm?Imm時(shí)，既能保證形成貫通的導(dǎo)熱途徑，又能保持在具有較高金屬絲5含量時(shí)，導(dǎo)熱墊片整體具有較佳的彈性。
[0018]所述的金屬絲5在硅膠基體4內(nèi)沿垂直于導(dǎo)熱墊片的方向延伸，從而每個(gè)金屬絲5都形成一條貫通的導(dǎo)熱途徑。
[0019]所述導(dǎo)熱墊片的形狀為方形或圓形。
[0020]所述的凹槽I為矩形槽。
[0021]凹槽I能夠緊密貼合發(fā)熱芯片的中央面和周圍側(cè)面，并且凹槽I側(cè)壁和槽底面上的相變化導(dǎo)熱材料層6在受熱時(shí)進(jìn)行相變，由原來(lái)的固體層軟化成半液態(tài)，從而可以從微觀角度更緊密的接觸發(fā)熱芯片的表面，提高了導(dǎo)熱性能。在導(dǎo)熱墊片內(nèi)填充金屬絲5，填充的金屬絲5在硅膠基體4中是連續(xù)分布，形成了貫通的傳熱途徑，因此提高了導(dǎo)熱層2本體的導(dǎo)熱性能。從而將發(fā)熱芯片各發(fā)熱面的熱量進(jìn)行傳導(dǎo)，并且不存在組裝干涉問(wèn)題，相比現(xiàn)有導(dǎo)熱墊片，能有效降溫8°C以上，很好地解決了高發(fā)熱功率發(fā)熱芯片的散熱問(wèn)題。
[0022]在導(dǎo)熱墊片上復(fù)合了一層玻纖加強(qiáng)層3，在不增加導(dǎo)熱墊片厚度和熱阻的前提下提高了導(dǎo)熱墊片的機(jī)械強(qiáng)度，具有良好的抗撕裂和抗刺穿性能，不會(huì)被針腳刺，避免了電子產(chǎn)品短路問(wèn)題的發(fā)生。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，其特征在于:包括導(dǎo)熱墊片本體，導(dǎo)熱墊片本體上設(shè)置有與發(fā)熱芯片的凸字形表面相配合的凹槽(1)，所述的導(dǎo)熱墊片本體包括導(dǎo)熱層(2)和設(shè)置于導(dǎo)熱層(2)—側(cè)的玻纖加強(qiáng)層(3)，凹槽(I)設(shè)置于導(dǎo)熱層(2)的表面，所述的導(dǎo)熱層(2)包括硅膠基體(4)和填充于硅膠基體(4)內(nèi)的金屬絲(5)，凹槽(I)的槽底面上和四個(gè)槽側(cè)壁的表面上均設(shè)置有一層相變化導(dǎo)熱材料層(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，其特征在于:所述的金屬絲(5)為銀絲、銅絲或鋁絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，其特征在于:所述的金屬絲(5)的直徑為0.5mm?1mm，金屬絲(5)在硅膠基體(4)內(nèi)的體積填充率為20?60%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，其特征在于:所述的金屬絲(5)在娃膠基體(4)內(nèi)沿垂直于導(dǎo)熱墊片的方向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，其特征在于:所述的導(dǎo)熱墊片的形狀為方形或圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，其特征在于:所述的凹槽(I)為矩形槽。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種封裝芯片的導(dǎo)熱墊片，包括導(dǎo)熱墊片本體，導(dǎo)熱墊片本體上設(shè)置有與發(fā)熱芯片的凸字形表面相配合的凹槽（1），導(dǎo)熱墊片本體包括導(dǎo)熱層（2）和設(shè)置于導(dǎo)熱層（2）一側(cè)的玻纖加強(qiáng)層（3），凹槽（1）設(shè)置于導(dǎo)熱層（2）的表面，所述的導(dǎo)熱層（2）包括硅膠基體（4）和填充于硅膠基體（4）內(nèi)的金屬絲（5），凹槽（1）的槽底面上和四個(gè)槽側(cè)壁的表面上均設(shè)置有一層相變化導(dǎo)熱材料層（6）。本實(shí)用新型的有益效果是：凹槽能夠緊密貼合發(fā)熱芯片的中央面和周圍側(cè)面，并且凹槽側(cè)壁和槽底面上的相變化導(dǎo)熱材料層在受熱時(shí)進(jìn)行相變，由原來(lái)的固體層軟化成半液態(tài)，從而可以從微觀角度更緊密的接觸發(fā)熱芯片的表面，提高了導(dǎo)熱性能。
【IPC分類】H05K7-20, H01L23-427, H01L23-36
【公開(kāi)號(hào)】CN204560109
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520261173
【發(fā)明人】劉有泉
【申請(qǐng)人】東莞市零度導(dǎo)熱材料有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2015年4月28日